说明
在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...
特点
•浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫
•门极驱动电压范围从5至20V
•欠压锁定两个通道
•3.3V，5V和15V输入逻辑兼容
•跨导预防逻辑
•匹配的两个通道传播延迟
•高侧同相输出随着输入
•逻辑和功率地+ /- 5V的偏移。
•内部540ns死区时间
•较低的di / dt的栅极驱动器为更好的噪音免疫
•关闭关闭两个声道的输入
•8引脚SOIC也提供无铅（PBF的）。...
IR2302-高端和低端驱动器
时间：2013-2-9 15:26:00
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...
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