IR2101PBF价格

参考价格:¥3.4662

型号:IR2101PBF 品牌:International 备注:这里有IR2101PBF多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IR2101PBF批发/采购报价,IR2101PBF行情走势销售排行榜,IR2101PBF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IR2101PBF

HIGHANDLOWSIDEDRIVER

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IR2101PBF

封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路(IC) 栅极驱动器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

One-wayflowcontrolvalve

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FESTOFesto Corporation.

费斯托公司德国FESTO费斯托(中国)有限公司

FESTO

InsertMoldedCoil

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FRONTIER

Frontier Electronics

FRONTIER

HIGHSPEEDSMTMAGNETICMODULES

文件:172.02 Kbytes Page:5 Pages

XFMRS

XFMRS,Inc.

XFMRS

Fieldbus,2Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG

文件:256.45 Kbytes Page:3 Pages

BELDEN

Belden Inc.

BELDEN

HighCurrentToroidInductors

文件:111.85 Kbytes Page:1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

IR2101PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR2101PBF

  • 功能描述

    功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-26 17:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
2018+
DIP-8
12000
VISHAY专营进口原装现货假一赔十
IR
23+
DIP8
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
Infineon(英飞凌)
2021+
DIP-8
499
INFINEON/英飞凌
21+
DIP
9850
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
IR
2022+
DIP8
44154
Infineon/英飞凌
23+
DIP-8
25630
原装正品
23+
SOP8
18000
Infineon/英飞凌
23+
DIP-8
25000
原装正品,假一赔十!
IR
23+
8-Dip
7750
全新原装优势
IR
22+23+
DIP8
32875
绝对原装正品全新进口深圳现货

IR2101PBF芯片相关品牌

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    SOT-23-5MOSFETGateDriversSMD/SMT门驱动器,SOT-23-5MOSFETGateDriversSMD/SMT门驱动器,MP6528门驱动器,1Output1Driver门驱动器,SMD/SMT门驱动器,TSSOP-20门驱动器

    2021-9-10
  • IR2085S-高速,100V的,自振荡50%的占空比,半桥式驱动器

    说明该IR2085S是自激式半桥和50%占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC,其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组,其中fosc的≈1/(2*RT.CT)。死区时间可控制,通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度,并保持在整个上升周期开始的高,低产出的匹配。该IR2085S在启动后,每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。特点•简单的初

    2013-2-10
  • IR2103-半桥驱动器

    说明在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定

    2013-2-9
  • IR1210-双低侧驱动器

    IR1210是一个低电压,高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术,让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级,设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。特点•门极驱动电源电压范围从6至20V•CMOS施密特触发输入上拉•为两个通道相匹配的传播延迟•输出与输入相

    2012-11-14