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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPT20Q06-TEA | Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology 文件：208.78 Kbytes Page：4 Pages | IPSIP SEMICONDUCTOR CO., LTD. IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |  |   |
Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology 文件：208.78 Kbytes Page：4 Pages | IPSIP SEMICONDUCTOR CO., LTD. IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. | | | |
Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology 文件：208.53 Kbytes Page：4 Pages | IPSIP SEMICONDUCTOR CO., LTD. IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. | | | |
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IPT20Q06-TEA产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPT20Q06-TEA
- 制造商
IPS
- 制造商全称
IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
- 功能描述
High current density due to double mesa technology
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-HSOF-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PG-HSOF-8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
Infineon/英飞凌 |
2339+ |
PG-HSOF-8 |
32280 |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-HSOF-8 |
10000 |
原装,品质保证,请来电咨询 |
|||
Infineon |
2023 |
4800 |
公司原装现货/支持实单 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
21+ROHS |
H-PSOF-8-1 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-HSOF-8 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
H-PSOF-8-1 |
198589 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
Infineon |
23+ |
PG-HSOF-8 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-HSOF-8 |
18000 |
原装正品实单可谈 库存现货 |
IPT20Q06-TEA芯片相关品牌
IPT20Q06-TEA规格书下载地址
IPT20Q06-TEA参数引脚图相关
- kse13005
- ks20
- km710
- ka5q1265rf
- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- irf630
- irf540n
- irf540
- ir2110
- IPX0DW
- IPX0DS
- IPX0DM
- IPX0DH
- IPX0CW
- IPX0CS
- IPX0CM
- IPX0CH
- IPX0BW
- IPX0BS
- IPX0BM
- IPX0BH
- IPX0AW
- IPX0AS
- IPX0AM
- IPX0AH
- IPT66
- IPT3115
- IPT2602
- IPT2601
- IPT2508-BEA
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IPT20Q06-TEA数据表相关新闻
IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics采用M0T5VIPower技术的单片架构采用了QFN48L封装
2022-10-27IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位
2012-11-14
DdatasheetPDF页码索引
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