IPS1025HFQ 是采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构,采用 QFN48L (8 mm x 6 mm) 封装。这些 IC 是单个高压侧开关器件,可以驱动一侧接地的容性、阻性或感性负载(高压侧开关)。推荐工作电压在 8.65 V 至 60 V 范围内,但电源引脚上的击穿电压可达到 65 V。
输出级是一个 N 沟道 PowerMOSFET,具有环境温度下 12 mΩ 的典型 RDS(ON),内部限制 2.5 A 最小输出电流。这款 IC 能够设置两种不同的限流水平(ILIMH-X 和 ILIML-X),用于智能驱动负载,例如灯泡和具有初始峰值电流要求的容性负载。
采用嵌入式保护,具有两对限流阈值和电平(IPKH、每一 DPK 时间的 ILIMH、IPKL、ILIML),还具有集成诊断功能,可实现带负载(具有初始峰值电流要求)的功能强大机器。
IPS1025HFQ 的电源开/关延迟时间低于 60 μs,适用于接口 Type C(或 D)Class 3的 SIL(安全完整性等级)应用要求。用于 STM32 Nucleo 的 STEVAL-IFP040V1 工业数字输出扩展板为评估 IPS1025HFQ(单高压侧智能功率固态继电器)的驱动和诊断能力提供了强大而灵活的环境,IPS1025HFQ 位于连接到 2.5 A(最大值)工业负载的数字模块中。
IPS1025HFQ 是单片单器件,可以驱动一侧接地的容性、阻性或感性负载;该 IC 专门设计用于在 PLC 模块中以极低的功耗驱动重负载,或在自动售货机应用中驱动单向电机。
特性
8.65 V 至 60 V 工作电压范围
RDS(ON) 12 mΩ(典型值,+25°C 时)
容性负载的智能驱动
可编程电流限制值:2.5 A(最大值)
启动时的传播延迟时间短 (<60 μs),满足接口 Type C(或 D)的 SIL(安全完整性等级)应用要求
感性负载快速消磁
过载和超温保护
外壳超温保护
接地断线保护
VCC 断线保护
过载或超温事件的故障信号
欠压锁定
设计符合 IEC(国际电工委员会)61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5 标准
封装 QFN48L (8 mm x 6 mm)