型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPT2008-CEA

Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology

文件:209.89 Kbytes Page:4 Pages

IPSIP SEMICONDUCTOR CO., LTD.

IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.

IPS

Floorboxsystem:2008A

文件:274.07 Kbytes Page:1 Pages

BURLANDBurland Technology Solutions

伯兰

BURLAND

Floorboxsystem:2008B

文件:260.04 Kbytes Page:1 Pages

BURLANDBurland Technology Solutions

伯兰

BURLAND

Floorboxsystem:2008Q

文件:646.16 Kbytes Page:1 Pages

BURLANDBurland Technology Solutions

伯兰

BURLAND

LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)

文件:93.36 Kbytes Page:8 Pages

ABRACONAbracon Corporation

阿布雷肯

ABRACON

LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)

文件:93.36 Kbytes Page:8 Pages

ABRACONAbracon Corporation

阿布雷肯

ABRACON

IPT2008-CEA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPT2008-CEA

  • 制造商

    IPS

  • 制造商全称

    IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.

  • 功能描述

    High current density due to double mesa technology

更新时间:2024-4-27 12:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
PG-HSOF-8
13880
公司只售原装,支持实单
INFINE0N
21+
TO-Leadless (HSOF-8)
32568
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营
Infineon/英飞凌
23+
PG-HSOF-8
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
Infineon/英飞凌
2023+
PG-HSOF-8
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
Infineon/英飞凌
21+
PG-HSOF-8
10000
原装,品质保证,请来电咨询
INFINEON/英飞凌
21+ROHS
H-PSOF-8-1
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
INFINEON/英飞凌
H-PSOF-8-1
198589
假一罚十原包原标签常备现货!
INFINEON/英飞凌
23+
H-PSOF-8-1
8000
只做原装现货
INFINEON/英飞凌
23+
H-PSOF-8-1
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon(英飞凌)
2117+
PG-HSOF-8
315000
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

IPT2008-CEA芯片相关品牌

  • ABLIC
  • AMD
  • COILCRAFT
  • Good-Ark
  • GREATECS
  • ILLINOISCAPACITOR
  • Infineon
  • KEMET
  • MOLEX9
  • MSYSTEM
  • SSDI
  • WTE

IPT2008-CEA数据表相关新闻

  • IPS1025HFQ 高压侧开关

    STMicroelectronics采用M0T5VIPower技术的单片架构采用了QFN48L封装

    2022-10-27
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
  • IPW60R060P7

    IPW60R060P7

    2019-7-9
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位

    2012-11-14