型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPP80N06S2L-H5

OptiMOSPower-Transistor

文件:161.22 Kbytes Page:8 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

OptiMOSPower-Transistor

文件:161.22 Kbytes Page:8 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

OptiMOSPower-Transistor

文件:311.12 Kbytes Page:8 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

OptiMOSPower-Transistor

文件:311.12 Kbytes Page:8 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:998.26 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

IPP80N06S2L-H5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPP80N06S2L-H5

  • 功能描述

    MOSFET OptiMOS PWR TRANS 55V 80A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-3 14:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON-英飞凌
24+25+/26+27+
TO-220-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
INFINEON/英飞凌
2022
TO220
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
Infineon
20+
TO-220
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
INFINEON/英飞凌
TO220
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
INFINEON/英飞凌
23+
NA/
1050
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON
23+
TO-220
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
Infineon
23+
TO-TO-220
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
inf进口原
19+
TO-220
9860
一级代理
INFINEON/英飞凌
17+
PG-TO220-3
31518
原装正品 可含税交易
INFINEON/英飞凌
22+
1050
询价拨打15919799957全天在线

IPP80N06S2L-H5芯片相关品牌

  • ALPS
  • Belling
  • CRYSTEKCRYSTAL
  • Dallas
  • Hynix
  • MIC
  • MuRata
  • MURATA1
  • PERICOM
  • SAVANTIC
  • TAITRON
  • YEONHO

IPP80N06S2L-H5数据表相关新闻

  • IPP65R190CFD 

    进口代理

    2023-12-7
  • IPQC60R010S7XTMA1

    IPQC60R010S7XTMA1

    2023-7-4
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPP65R110CFDA INFINEON/英飞凌 21+ TO-220

    https://hfx03.114ic.com/

    2022-2-19
  • IPP65R600C6优势原装Infineon局道

    IPP65R600C6优势原装Infineon局道

    2019-3-27
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位

    2012-11-14