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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IPB80N06S2L-H5 | OptiMOSPower-Transistor 文件：161.22 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
OptiMOSPower-Transistor 文件：161.22 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
OptiMOSPower-Transistor 文件：311.12 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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N-Channel60V(D-S)MOSFET 文件：998.26 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
IPB80N06S2L-H5产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB80N06S2L-H5
- 功能描述
MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 80A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO263-3-2 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
PG-TO263-3D2-PAK(TO2 |
15218 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
VBsemi |
21+ |
TO263 |
5800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VBSEMI |
19+ |
PG-TO263-3-2 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
INFINEON |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
INFINEON |
23+ |
PG-TO263-3D2-PAK(TO2 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
INFINEON |
08+(pbfree) |
PG-TO263-3D2-PAK(T |
8866 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
SOT-263 |
17326 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
TO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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