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位置：首页 > IC中文资料第389页 > IDT70V639S12BF

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT70V639S12BF

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

文件：187.41 Kbytes Page：23 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT70V639S12BFI

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V639S12BCG

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

文件：705.64 Kbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V639S12BCG

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

文件：204.34 Kbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V639S12BCGI

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V639S12BCGI

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V639S12BFG

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

IDT70V639S12BF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V639S12BF

  • 功能描述

    IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    8K(1K x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C，2 线串口

  • 电源电压

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

  • 供应商设备封装

    8-SOIC

  • 包装

    带卷(TR)

IDT70V639S12BF供应商更多...

更新时间：2024-4-26 17:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IDT70V639S12BFI
IDT
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