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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HZS10NB1 | SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply 文件：57.36 Kbytes Page：7 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly. | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
Voltageregulatordiodes DESCRIPTION LowpowergeneralpurposevoltageregulatordiodeinaSOT346(SC59)plasticpackage,suitableforsurface mounteddesign. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.300mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Wideworkingvoltagerange:nom. | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |  | | |
SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer 文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
HZS10NB1产品属性
- 类型
描述
- 型号
HZS10NB1
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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原装正品长期供货，如假包赔包换 徐小姐13714450367 |
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2019-3-1
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