位置：首页 > IC中文资料第1872页 > HZ6B1(E)
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   | |
SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES forstabilizedpowersupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司 |  | | |
SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. | HitachiHitachi, Ltd. 日立公司 |  | | |
500mWZenerDiode1.7to37.2Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司 |  | | |
3AMPENCAPSULATEDASSEMBLIES 文件：39.66 Kbytes Page：1 Pages | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 |  | |
HZ6B1(E)产品属性
- 类型
描述
- 型号
HZ6B1(E)
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI |
TP |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
ST/先科 |
21+ |
DO-35 |
8000 |
深圳现货,原装正品 |
|||
ST先科 |
17+ |
NA |
9998 |
全新原装现货 |
|||
日立/ST |
24+ |
DO-35 |
98000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
HIT |
6000 |
面议 |
19 |
DO-35 |
|||
HITACHI |
23+ |
NA |
1486 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
RENESAS |
22+23+ |
New |
33154 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
0.5W5.6V |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
RENESAS |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||||
SEMTECHEL |
21+ |
35200 |
一级代理/放心采购 |
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