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40A,600VultrafastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Highfrequencyoperation ■LowerCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecovery

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-4-26 11:39:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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