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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FS70VSJ-06 | HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE ●4VDRIVE ●VDSS.................................................................................60V ●rDS(ON)(MAX)................................................................7mΩ ●ID........................................................................................70A ●Integ | MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机 |  |   |
FS70VSJ-06 | NchPOWERMOSFETHIGH-SPEEDSWITCHINGUSE ●4VDRIVE ●VDSS.................................................................................60V ●rDS(ON)(MAX)................................................................7mΩ ●ID........................................................................................70A ●Integ | POWEREX POWEREX |  | |
FS70VSJ-06 | MITSUBISHINchPOWERMOSFET ●4VDRIVE ●VDSS.................................................................................60V ●rDS(ON)(MAX)................................................................7mΩ ●ID........................................................................................70A ●Integ | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
FS70VSJ-06 | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
High-SpeedSwitchingUseNchPowerMOSFET Features •Drivevoltage:4V •VDSS:60V •rDS(ON)(max):7.0mΩ •ID:70A •RecoveryTimeoftheIntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):70ns Applications Motorcontrol,lampcontrol,solenoidcontrol,DC-DCconverters,etc. | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
High-SpeedSwitchingUseNchPowerMOSFET Features •Drivevoltage:4V •VDSS:60V •rDS(ON)(max):7.0mΩ •ID:70A •RecoveryTimeoftheIntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):70ns Applications Motorcontrol,lampcontrol,solenoidcontrol,DC-DCconverters,etc. | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
High-SpeedSwitchingUseNchPowerMOSFET Features •Drivevoltage:4V •VDSS:60V •rDS(ON)(max):7.0mΩ •ID:70A •RecoveryTimeoftheIntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):70ns Applications Motorcontrol,lampcontrol,solenoidcontrol,DC-DCconverters,etc. | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE 文件：99.63 Kbytes Page：7 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
FS70VSJ-06产品属性
- 类型
描述
- 型号
FS70VSJ-06
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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RENESAS |
23+ |
SOT263 |
4500 |
专业优势供应 |
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RENESAS |
23+ |
TO-220 |
28000 |
原装正品 |
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RENESAS |
2023+ |
TO-220铁头 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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RENESAS |
1816+ |
. |
6523 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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RENESAS |
TO263 |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
||||
三菱 |
24+25+/26+27+ |
TO-3P-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-263 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
M |
23+ |
TO-263 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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2019-4-12FS6X1220-飞兆功率开关（FPS）
说明该FS6X1220R是专为离线特思数码转换器以最小的外部元件。这设备是一个电流模式PWM控制器，具有高结合在一个封装电压电源值SenseFET。该PWM控制器包括集成固定频率振荡器，行欠压锁定，睡眠/关功能，热关断保护，过电压保护，脉冲的脉冲电流限制和温度补偿精密电流来源一回路补偿。相较于离散MOSFET和PWM控制器解决方案，可以FS6X1220R降低总成本，元件数量，大小和重量，同时提高效率，生产力和系统可靠性。这种器件非常适合于DC至DC转换器输出功率高达40W的应用。特点•电流模式PWM控制的固定工作频率（3
2013-3-12FS6S-飞兆功率开关（FPS）
说明飞兆半导体的功率开关（FPS）产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少外部元件。飞兆半导体的功率开关（FPS）由一个高压电源和电流值SenseFET模式PWMIC。包括功能的PWM控制器集成固定振荡器，欠压锁定，该优化开启/关闭驱动器门打开，热关闭掉电保护，过电压保护，以及温度补偿精密电流源环路补偿和故障保护电路。相对于分立的MOSFET和控制器或碾压开关转换器解决方案，一飞兆功率开关（FPS）可以降低总的元件数量，缩小设计尺寸，并重量，并在同一时间提高效率，生产力和系统的可靠性。它有一个基本的平台适合具有成本效益的显示器的电源供应。
2013-3-12FS6M07652-飞兆功率开关（FPS）
说明飞兆半导体的功率开关（FPS）产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少的外部组件。飞兆半导体的功率开关（FPS）的一个组成高压值SenseFET和电流模式PWMIC。包括PWM控制器具有集成固定振荡器，根据电压锁定，前缘消隐的优化的栅极turn-on/turn-off驱动器，热关断保护，过电压保护，温度补偿精密电流源的循环补偿和故障保护电路。相比分立MOSFET和控制器或碾压混凝土开关转换器解决方案，一飞兆功率开关（FPS）可降低总元件数量，缩小设计尺寸和重量和同时提高效率，生产力和系统可靠性。它有一个基本的平台，以及适合的成本有效的液晶显示器电源。
2013-3-12
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