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FQA18N50V2	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA18N50V2	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=265mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQP18N50V2	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQH18N50V2	500VN-ChannelMOSFET 文件：627.57 Kbytes Page：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQH18N50V2	iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：303.38 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FQA18N50V2产品属性

类型
描述
型号
FQA18N50V2
功能描述
MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-30 22:58:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市正纳电子有限公司	FQA18N50V2	Fairchild(飞兆/仙童)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
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FQA30N40 TO-3P FAIRCHILD/仙童 MOS(场效应管) 原装正品
原装正品现货供应0755-28892389/13713856319；QQ:2639752116；微信：13713856319；
2021-3-25
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