品牌： FAIRCHILD/仙童
商品类型： MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）： 400V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）： 30A
栅源极阈值电压： 5V @ 250uA
漏源导通电阻： 140mΩ @ 15A，10V
最大功率耗散（Ta=25°C）： 290W
类型： N沟道
Fairchild飞兆半导体公司的历史可以追溯至1957年，当时，ShermanMillsFairchild，仙童公司的创立者，组织了一些科学家在美国加州研究晶体管制造新工艺，其中有RobertNevce和GordonMoore，就是现在Intel公司的创立者。1959年研究成功平面工艺制造技术，从此，平面技术成为晶体管制造的基本方法。
仙童公司总部设在美国缅因州的波特兰市，下属三个业务单元:即南波特兰的逻辑组、加州Sunnyvale的分离功率和信号组、犹他州WestJordan的模拟、混合信号和非易失存储器件组。公司在美国和韩国拥有四座晶片生产厂，在菲律宾宿务市和马来西亚建有组装检测工厂。公司采用世界级4、5、6-inch硅片工艺生产逻辑、模拟、混合信号IC和分立元件。南波特兰市是最大的生产基地。
Fairchild飞兆半导体在功率和信号路径产品的专业知识帮助客户差异化的产品和解决困难的技术挑战。我们的全球团队的技术专家听，应对和预期的主要制造商的需求，提供定制的硅解决方案和用人企业设计，帮助他们保持竞争优势的政策。多年来，仙童公司总是以不断的技术革新而赢得世界的目光，从工业领先技术如FAST&8432、先进肖特基TTL逻辑系列到今天的ASSPEEPROM、ACEX、PowerTrench&8432、MOSFET、LCX和VHC技术。提供电源和移动设计节能，易于使用的半导体解决方案。我们的高性能半导体优化能源，使如电源，便携式，照明，电机，计算机，消费电子和汽车应用中的移动连接。
