型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

HIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS

[Profusion] 250VN/PLATERALMOSFETS HIGHPOWER25WHIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModesiliconGate TMOSPOWERFET10AMPERESRDS(on)=0.45OHM250VOLTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

文件:134.04 Kbytes Page:10 Pages

Samhop

三合微科

Samhop
更新时间:2024-6-1 11:10:01
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