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ECF10N25

HIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS

[Profusion] 250VN/PLATERALMOSFETS HIGHPOWER25WHIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModesiliconGate TMOSPOWERFET10AMPERESRDS(on)=0.45OHM250VOLTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:965.21 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

文件:134.04 Kbytes Page:10 Pages

Samhop

三合微科

Samhop

ECF10N25产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ECF10N25

  • 功能描述

    HIGH QUALITY AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS

更新时间:2024-6-13 17:46:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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