位置：首页 > IC中文资料第110页 > FII30-12E
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FII30-12E | NPT3IGBT Features •NPT3IGBT -positivetemperaturecoefficientofsaturationvoltageforeasyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimizedperformanceinresonantcircuits •HiPerFREDTMdiode -fastreverserecovery -lowoperatingforwardvoltage -low | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  |   |
FII30-12E | 封装/外壳：i4-Pac™-5 包装：管件 描述：IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 阵列 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
AC-DCConverter 文件：498.6 Kbytes Page：4 Pages | PAIRUIPAIRUI GROUP INC. 富安电子天长市富安电子有限公司 |  | | |
30wattencapsulatedac-dcconverter 文件：417.75 Kbytes Page：3 Pages | AIMTEC AIMTEC |  | | |
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FII30-12E产品属性
- 类型
描述
- 型号
FII30-12E
- 功能描述
IGBT 晶体管 30 Amps 1200V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1931+ |
N/A |
34 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
JAE |
22+ |
20P |
6500 |
只做原装正品现货!假一赔十! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
I-PACK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
1539+ |
I4-PAC-5 |
50 |
||||
JAE |
23+ |
SMD |
90000 |
只做原装 全系列供应 价格优势 可开增票 |
|||
IXYS |
18+ |
2173 |
公司大量全新正品 随时可以发货 |
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JAE |
2308+ |
488687 |
一级代理,原装正品,公司现货! |
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IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
2368 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
JAE |
2020+ |
SMD |
50000 |
主营进口连接器,原装现货超低价! |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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原装现货
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