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位置：首页 > IC中文资料第818页 > FGH30N6S2D

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGH30N6S2D

600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthTMDiode

GeneralDescription TheFGH30N6S2D,FGP30N6S2D,andFGB30N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatechargeandplateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGH30N6S2D

600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthTMDiode

GeneralDescription TheFGH30N6S2D,FGP30N6S2D,andFGB30N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatechargeandplateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGH30N6S2D

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 45A 167W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FGB30N6S2

600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT

GeneralDescription TheFGH30N6S2,FGP30N6S2,andFGB30N6S2areLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatechargeandplateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andreduc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGB30N6S2

600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT

GeneralDescription TheFGH30N6S2,FGP30N6S2,andFGB30N6S2areLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatechargeandplateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andreduc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGB30N6S2D

600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthTMDiode

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
30N6S2

600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT

文件：259.31 Kbytes Page：11 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGB30N6S2

600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT

文件：259.31 Kbytes Page：11 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FGH30N6S2D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGH30N6S2D

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

FGH30N6S2D供应商更多...

更新时间：2024-5-22 13:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科芯源微电子有限公司
FGH30N6S2D
FAIRCHILD/仙童
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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