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OptiMOS??Power-Transistor

Features •N-channel,logiclevel •VerylowgatechargexRDS(on)product(FOM) •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •Lowon-resistanceRDS(on) •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •150°Coperating

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
更新时间:2024-6-2 13:02:01
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