BSC190N15NS3G
品牌：INFINEON/英飞凌
产品种类：MOS管
数量：10000
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 最小值: 29 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 53 ns
系列: OptiMOS 3
包装数量：5000
华富芯(深圳）智能科技有限公司
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