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位置：首页 > IC中文资料第1639页 > BDV64C

BDV64C晶体管资料

  • BDV64C别名：BDV64C三极管、BDV64C晶体管、BDV64C晶体三极管

  • BDV64C生产厂家：

  • BDV64C制作材料：Si-P+Darl+Di

  • BDV64C性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • BDV64C封装形式：直插封装

  • BDV64C极限工作电压：120V

  • BDV64C最大电流允许值：12A

  • BDV64C最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BDV64C引脚数：3

  • BDV64C最大耗散功率：125W

  • BDV64C放大倍数：β>1000

  • BDV64C图片代号：B-70

  • BDV64Cvtest：120

  • BDV64Chtest：999900

  • BDV64Catest：12

  • BDV64Cwtest：125

  • BDV64C代换 BDV64C用什么型号代替：BDV66C,BDW84D,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BDV64C

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDV65,BDV65A,BDV65BandBDV65C ●125Wat25°CCaseTemperature ●12AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at4V,5A

POINNPower Innovations Ltd

Power Innovations Ltd

POINN
BDV64C

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS •DesignedforComplementaryUsewithBDV64,BDV64A,BDV64BandBDV64C •125Wat25°CCaseTemperature •12AContinuousCollectorCurrent •MinimumhFEof1000at4V,5A

TRSYS

Transys Electronics

TRSYS
BDV64C

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBDV65/65A/65B/65C ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Foruseingeneralpurposeamplifierapplications.

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
BDV64C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·CollectorCurrent-IC=-12A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max.)@IC=-5A ·ComplementtoTypeBDV65/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BDV64C

PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

PNPSILICONDARLINGTONSPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialbasetransistorsmountedinTO-3PN. Theyaredesignedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications. complementaryisBDV65-A-B-C CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
BDV64C

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •CollectorCurrent-lc=-12A •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max.)@lc=-5A •ComplementtoTypeBDV65/A/B/C APPLICATIONS •Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
BDV64C

Silicon PNP Power Transistors

文件：139.15 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
BDV64C

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

文件：110.73 Kbytes Page：4 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
BDV64C

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

文件：109.72 Kbytes Page：5 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
BDV64C-S

封装/外壳：TO-218-3 包装：管件 描述：TRANS PNP DARL 120V 12A SOT93 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns

BDV64C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDV64C

  • 功能描述

    达林顿晶体管 125W 12A PNP

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

BDV64C供应商更多...

更新时间：2024-5-26 16:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市汇莱威科技有限公司
BDV64C
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BDV64C规格书下载地址

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