3DD4B-T晶体管资料
3DD4B-T别名：3DD4B-T三极管、3DD4B-T晶体管、3DD4B-T晶体三极管
3DD4B-T生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD4B-T制作材料：Si-NPN
3DD4B-T性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD4B-T封装形式：直插封装
3DD4B-T极限工作电压：100V
3DD4B-T最大电流允许值：1.5A
3DD4B-T最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD4B-T引脚数：2
3DD4B-T最大耗散功率：10W
3DD4B-T放大倍数：
3DD4B-T图片代号：E-43
3DD4B-Tvtest：100
3DD4B-Thtest：999900
- 3DD4B-Tatest：1.5
3DD4B-Twtest：10
3DD4B-T代换 3DD4B-T用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=0.75A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplicatio | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=0.75A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=300V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplication | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
华润华晶 |
23+ |
TO-220F |
90000 |
原装原盘 |
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華晶 |
23+ |
NA/ |
3460 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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华润华晶 |
TO-3PF |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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HUAJING |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
华晶 |
21+ |
TO-3PF |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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華晶 |
23+ |
TO-3PF |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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HUAJING |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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CHINA |
2021+ |
F-2 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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华晶 |
23+ |
TO-220F |
8400 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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华晶 |
23+ |
TO-220F |
8400 |
专注配单,只做原装进口现货 |
3DD4B-T芯片相关品牌
3DD4B-T规格书下载地址
3DD4B-T参数引脚图相关
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