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3DD4E晶体管资料

  • 3DD4E别名:3DD4E三极管、3DD4E晶体管、3DD4E晶体三极管

  • 3DD4E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD4E制作材料:Si-NPN

  • 3DD4E性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD4E封装形式:直插封装

  • 3DD4E极限工作电压:80V

  • 3DD4E最大电流允许值:1.5A

  • 3DD4E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD4E引脚数:2

  • 3DD4E最大耗散功率:10W

  • 3DD4E放大倍数

  • 3DD4E图片代号:E-43

  • 3DD4Evtest:80

  • 3DD4Ehtest:999900

  • 3DD4Eatest:1.5

  • 3DD4Ewtest:10

  • 3DD4E代换 3DD4E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
3DD4E

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=0.75A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplicatio

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=0.75A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=300V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplication

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-4-27 23:00:00
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