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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SK3390 | SiliconNChannelMOSFETUHFPowerAmplifier Features •Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency PG=17dB,Pout=6.31W,ηadd=60min.(f=836MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting | HitachiHitachi, Ltd. 日立公司 |  |   |
2SK3390 | SiliconN-ChannelMOSFETUHFPowerAmplifier Features •Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency PG=17dB,Pout=6.31W,ηadd=60min.(f=836MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
SiliconN-ChannelMOSFETUHFPowerAmplifier Features •Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency PG=17dB,Pout=6.31W,ηadd=60min.(f=836MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
2SK3390产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3390
- 制造商
HITACHI
- 制造商全称
Hitachi Semiconductor
- 功能描述
Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
RP8P |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
3967 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENESAS |
14+ |
RP8P |
9000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
23+ |
NA |
829 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
MIT |
21+ |
RP8P |
20000 |
全新原装 公司现货 价优 |
|||
RENESAS/Renesas Electronics Am |
21+ |
RP8P |
15210 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
RENESAS |
2023+ |
RP8P |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
MIT |
23+ |
RP8P |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
08PB |
60000 |
||||||
HIT |
2020+ |
SOT-89 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
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2SMPP-02
优势渠道
2023-2-162SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK3484-Z-E1-AZ ManufacturerPartNumber: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: NotRecommended IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP PartPackage
2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK3105-T1B-A ManufacturerPartNumber: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas PbfreeCode: Yes RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: Obsolete IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP P
2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性参数值 商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）50mA 漏源电压（Vdss）15V 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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