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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3366isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconverterapplicationofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=21mΩ(MAX.)(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=33mΩ(MAX.)(VGS=4.5V,ID=10

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3366isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconverterapplicationofnotebook computers. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=21mΩ(MAX.)(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=33mΩ(MAX.)(VGS=4.5V,ID=10

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

MOSFieldEffectTransistor

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KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:959.93 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:398.45 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SK3366-Z-AZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3366-Z-AZ

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Nch 30V 20A 21m@10V TO252 Bulk

更新时间:2024-4-26 18:27:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas
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TO-252/251
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35000
RENESAS/瑞萨
TO252
7906200
NEC-日本电气
24+25+/26+27+
TO-252-3
78800
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RENESAS
19+
TO-252
30000

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    属性参数值 商品目录结型场效应晶体管(JFET) 连续漏极电流(Id)(25°C时)50mA 漏源电压(Vdss)15V 类型N沟道 最大功率耗散(Ta=25°C)200mW

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