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2SJ604.

P-Channel60V(D-S)175째CMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •Lowinput

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

MOSFieldEffectTransistor

Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=30mMAX.(VGS=-10V,ID=-23A) RDS(on)2=43mMAX.(VGS=-4.0V,ID=-23A) ●LowCiss:Ciss=3300pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •Lowinput

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
更新时间:2024-6-4 19:22:00
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NEC
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