型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SJ604-S

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •Lowinput

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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2SJ604-S

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •

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MOSFieldEffectTransistor

Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=30mMAX.(VGS=-10V,ID=-23A) RDS(on)2=43mMAX.(VGS=-4.0V,ID=-23A) ●LowCiss:Ciss=3300pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •Lowinput

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SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •

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P-Channel60V(D-S)175째CMOSFET

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微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

2SJ604-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ604-S

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2024-6-5 10:58:00
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NEC
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