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2SC5890

SiliconNPNEpitaxialUHF/VHFwidebandamplifier

Features •Highgainbandwidthproduct:fT=7.8GHztyp. •Highpowergainandlownoisefigure;PG=12dBtyp.,NF=1.0dBtyp.atf=900MHz •Highcollectorpowerdissipation:Pc=700mWwhenusingaluminaceramicboard(25x60x0.7mm) •HighwithstandingtoESDofcollectortoemit

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5890

HighGainBandwidthProduct

DESCRIPTION •HighGainBandwidthProductfT=7.8GHzTYP. •Highpowergainandlownoisefigure;PG=12dBTYP.,NF=1.0dBtyp.@f=900MHz APPLICATIONS •DesignedforuseinUHF~VHFwidebandamplifier.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC5890

SiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION •HighGainBandwidthProductfT=7.8GHzTYP. •Highpowergainandlownoisefigure;PG=12dBTYP.,NF=1.0dBtyp.@f=900MHz APPLICATIONS •DesignedforuseinUHF~VHFwidebandamplifier.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
更新时间:2024-4-26 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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MALAYSIA
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RENESAS
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SOT23-3
9750
进品原装正品 现货库存带17%增值发票
08PB
30000

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