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2N6052晶体管资料

  • 2N6052别名：2N6052三极管、2N6052晶体管、2N6052晶体三极管

  • 2N6052生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司_德国电子元件股份公司_美国

  • 2N6052制作材料：Si-P+Darl+Di

  • 2N6052性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2N6052封装形式：直插封装

  • 2N6052极限工作电压：100V

  • 2N6052最大电流允许值：12A

  • 2N6052最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2N6052引脚数：2

  • 2N6052最大耗散功率：150W

  • 2N6052放大倍数：β>750

  • 2N6052图片代号：E-44

  • 2N6052vtest：100

  • 2N6052htest：999900

  • 2N6052atest：12

  • 2N6052wtest：150

  • 2N6052代换 2N6052用什么型号代替：BDV66A,BDW84C,BDX64B,BDX66B,BDX88C,MJ4032,TIP647,

2N6052价格

参考价格：￥20.9563

型号：2N6052 品牌：Centralr 备注：这里有2N6052多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N6052批发/采购报价，2N6052行情走势销售排行榜，2N6052报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N6052

PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR

PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/501

MicrelMicrel Semiconductor

麦瑞半导体麦克雷尔|麦瑞半导体

Micrel
2N6052

PowerTransistors

PowerTransistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2N6052

POWERTRANSISTORS(12A,150W)

DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain-

MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC
2N6052

DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral−purposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=3500(Typ)@IC=5.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage—@100mA VCEO(sus)=80Vdc(Min)—2N6058

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6052

PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR

PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/501

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
2N6052

POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS

POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS The2N6050,2N6051and2N6052aresiliconepitaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintededforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications. ThecomplementaryNPNtypesar

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
2N6052

DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS

DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca
2N6052

DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS

DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain-

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N6052

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6050,2N6057seriestypesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforhighgainamplifierandswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
2N6052

Transistor,Bipolar,TO-3,PNP,12A,100V,150W

Description:AsiliconPNPDarlingtontransistorsinaTO-3typecasedesignedforgeneral-purposeamplifierandlow-frequencyapplications Features -HighDCCurrentGain -Collector-EmitterSustainingVoltage:Vced(sus)=100VMin@100mA -MonolithicConstructionwithBuit-inBase-Emitte

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2N6052

DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICON-POWERTRANSISTORS

DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain-

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N6052

iscSiliconPNPDarlingtionPowerTransistor

文件：146.53 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N6052

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：散装 描述：TRANS PNP DARL 100V 12A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6052

包装：散装 描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N6052

POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS

文件：80.97 Kbytes Page：3 Pages

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
2N6052

BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO3

文件：16.329 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N6052

DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors

文件：130.66 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6052

DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors

文件：149.78 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6052G

DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors

DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors Thispackageisdesignedforgeneral−purposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain—hFE=3500(Typ)@IC=5.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage—@100mAVCEO(sus)=100Vdc(Min) •M

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6052_06

DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors

文件：149.78 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

2N6052产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6052

  • 功能描述

    达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

2N6052供应商更多...

更新时间：2024-6-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
2N6052
ON/安森美
23+
NA/
25692
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瀚佳科技(深圳)有限公司
2N6052
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3
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2N6052
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深圳市维尔达电子有限公司
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ON/安森美
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2N6052
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2N6052
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500000
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2N6052G
ON(安森美)
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全新原装正品/价格优惠/质量保障
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
2N6052
ON
23+
TO-3
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原装正品,假一罚十
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