位置:2N6052 > 2N6052详情
2N6052中文资料
2N6052产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N6052
- 功能描述
达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
isc |
2024 |
TO-3 |
1500 |
国产品牌isc,可替代原装 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
9208 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
|||
Central Semiconductor Corp |
24+ |
TO-204AA,TO-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
TO-3 |
10000 |
全新 |
|||||
ST |
1215+ |
TO-3 |
150000 |
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应. |
|||
MOTOROLA |
16+ |
TO-3 |
2000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ON |
23+ |
TO-3 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
ON |
1738+ |
TO-3 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
MOT |
2020+ |
TO-3 |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
2N6052G 价格
参考价格:¥13.6798
2N6052 资料下载更多...
2N6052 芯片相关型号
- 1206G100JA11A
- 2N5932
- 337-032-523-808
- C0603A100J101NT
- C0603F680J250ST
- C1005E104J100NT
- C2012N680J250ST
- C3225F680J101NT
- E91F451VNT152MUA5T
- E91F451VNT182MCA5T
- E92L421VND152MBA0T
- EN6360QI
- EP5358LUA
- KB2450SYKW
- MHR0619SA255G20
- MHR0619SA256J70
- MHR0619SA305D70
- MHR0619SA305G20
- NLI102C563K___F
- NLI108C330K___F
- NLI108D820K___F
- NPIM187B200MTRF
- NPIM74PR68MTRF
- PBS-RB250SGESSCD5A0Z
- PBS-RB6X0SG1SSNE5A0Z
- PBS-RB6X0SGESSSD5A0Z
- XF0203W1
- XFEB160808-301-2A
- XFEB160808-600-0.8A
- XFEB201209-331-1.5A
2N6052 晶体管资料
2N6052别名:2N6052三极管、2N6052晶体管、2N6052晶体三极管
2N6052生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_德国电子元件股份公司_美国
2N6052制作材料:Si-P+Darl+Di
2N6052性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
2N6052封装形式:直插封装
2N6052极限工作电压:100V
2N6052最大电流允许值:12A
2N6052最大工作频率:<1MHZ或未知
2N6052引脚数:2
2N6052最大耗散功率:150W
2N6052放大倍数:β>750
2N6052图片代号:E-44
2N6052vtest:100
2N6052htest:999900
- 2N6052atest:12
2N6052wtest:150
2N6052代换 2N6052用什么型号代替:BDV66A,BDW84C,BDX64B,BDX66B,BDX88C,MJ4032,TIP647,
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售