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位置：首页 > IC中文资料第49页 > ZXTN2010A

ZXTN2010A价格

参考价格：￥2.7328

型号：ZXTN2010A 品牌：Diodes Incorporated 备注：这里有ZXTN2010A多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，ZXTN2010A批发/采购报价，ZXTN2010A行情走势销售排行榜，ZXTN2010A报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ZXTN2010A

60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

DESCRIPTION Packaged in the E-line outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • Extemely low equivalent on-resistance; RSAT = 34mΩ at 5A • 4.5 amp

Zetex

ZXTN2010A

60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

DESCRIPTION Packaged in the E-line outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • Extemely low equivalent on-resistance; RSAT = 34mΩ at 5A • 4.5 amp

DIODES

美台半导体

ZXTN2010A

封装/外壳：E-Line-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

DIODES

美台半导体

ZXTN2010A

NPN, 60V, 4.5A, E-Line

DIODES

美台半导体

ZXTN2010ASTOA

60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

DESCRIPTION Packaged in the E-line outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • Extemely low equivalent on-resistance; RSAT = 34mΩ at 5A • 4.5 amp

DIODES

美台半导体

ZXTN2010ASTOA

60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

DESCRIPTION Packaged in the E-line outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • Extemely low equivalent on-resistance; RSAT = 34mΩ at 5A • 4.5 amp

Zetex

ZXTN2010ASTZ

60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

DESCRIPTION Packaged in the E-line outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • Extemely low equivalent on-resistance; RSAT = 34mΩ at 5A • 4.5 amp

Zetex

ZXTN2010ASTZ

60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

DESCRIPTION Packaged in the E-line outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • Extemely low equivalent on-resistance; RSAT = 34mΩ at 5A • 4.5 amp

DIODES

美台半导体

ZXTN2010A_15

60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

文件：125.5 Kbytes Page：6 Pages

DIODES

美台半导体

ZXTN2010ASTZ

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

DIODES

美台半导体

2010

Snap Bushings

文件：133.28 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

2010

10 Watt - 28 Volts, Class C Microwave 2000 MHz

文件：277.73 Kbytes Page：3 Pages

GHZTECH

2010

Type CRG Series

文件：131.66 Kbytes Page：3 Pages

MA-COM

2010

SMD High Power Precision Resistors

文件：199.3 Kbytes Page：6 Pages

MACOM

2010C

Industrial VRS Magnetic Speed Sensors

文件：410.69 Kbytes Page：8 Pages

Honeywell

霍尼韦尔

ZXTN2010A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ZXTN2010A

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 60V NPN Low Sat

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

ZXTN2010A供应商更多...

更新时间：2025-11-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
ZXTN2010A
ZETEX
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