型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ZXTD2090E6

DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

Features • BVCEO > 50V • IC = 1A High Continuous Current • High Gain Hold-Up hFE > 200 @ IC = 0.5A • RSAT = 160mΩ for Low Equivalent On Resistance • Low Saturation Voltage VCE(SAT)

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美台半导体

ZXTD2090E6

Dual NPN, 50V, 1A, SOT26

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美台半导体

DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

Features • BVCEO > 50V • IC = 1A High Continuous Current • High Gain Hold-Up hFE > 200 @ IC = 0.5A • RSAT = 160mΩ for Low Equivalent On Resistance • Low Saturation Voltage VCE(SAT)

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美台半导体

50V DUAL NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR IN SOT26

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ZXTD2090E6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ZXTD2090E6

  • 制造商

    DIODES

  • 制造商全称

    Diodes Incorporated

  • 功能描述

    DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

更新时间:2025-11-22 19:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES
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SOT23-6
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SOT23-6
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