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位置：首页 > IC中文资料第2239页 > ZXMN10A11GTC

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
ZXMN10A11GTC

100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

文件：323.83 Kbytes Page：7 Pages

Zetex

Zetex Semiconductors

Zetex
ZXMN10A11G

100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •MotorControl •DC-DCConverters •PowerManagementFunctions •UninterruptedPowerSu

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
ZXMN10A11G

100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DESCRIPTION ThisnewgenerationofTRENCHMOSFETsfromZetexutilisesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapplications. FEATURES •Lowon-resistance •Fastswitchi

Zetex

Zetex Semiconductors

Zetex
ZXMN10A11GFTA

100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DESCRIPTION ThisnewgenerationofTRENCHMOSFETsfromZetexutilisesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapplications. FEATURES •Lowon-resistance •Fastswitchi

Zetex

Zetex Semiconductors

Zetex
ZXMN10A11GFTC

100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

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Zetex

Zetex Semiconductors

Zetex
ZXMN10A11G

100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

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Zetex

Zetex Semiconductors

Zetex

ZXMN10A11GTC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ZXMN10A11GTC

  • 功能描述

    MOSFET 100V N-Chnl UMOS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

ZXMN10A11GTC供应商更多...

更新时间：2025-7-24 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
ZXMN10A11K
DIODES/美台
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ZXMN10A11GTC
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ZXMN10A11GTC
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ZXMN10A11K
ZetexInc
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7500
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