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MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 19.5 m, 30 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFS6H858NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-23 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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NA/
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500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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