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MOSFET ??Power, Dual N-Channel 40 V, 11.5 m, 36 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD5C470NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free an

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-24 17:57:01
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