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FCH072N60	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 72mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
FCH072N60F	N-Channel SuperFET짰 II FRFET짰 MOSFET Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technologyfor outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimizeconducti	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCH072N60	Telecom / Sever Power Supplies 文件：771.17 Kbytes Page：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCH072N60F	FCH072N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 52 A, 72 m廓文件：597.82 Kbytes Page：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCH072N60F	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：272.21 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2025-12-29 19:18:01

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ZED-F9R-03B
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2023-10-16
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2023-3-14
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2022-2-16
ZER-06V-S 矩形JST连接器 - 外壳插座天然 0.059"（1.50mm）
矩形连接器 - 外壳插座天然 0.059"（1.50mm）
2021-10-14
ZHR-12 连接器外壳插座间距1.50mm
ZHR-12
2021-7-20
ZH431-精密可调稳压并联稳压器
设备描述该ZH431是一个三端可调并联稳压器提供卓越温度稳定性和输出电流处理能力高达30mA。输出电压可设置为任何选择的电压2.5至36伏的两个选择外部分压器电阻。该设备可以作为一个替换在许多应用中齐纳二极管齐纳的改善，需要在performance.They也是在理想的使用离线SMPUs的反馈电路，还有许多通用稳压器和参考应用程序在初始精度低温度系数是关键要求。... 特征 ·表面贴装SO8封装，采用SOT223，SOT23封装并采用SOT89封装 · TO92封装 · 2％和1％的误差 ·最大温度系
2013-3-12