型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
YG868C08R

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

FUJI

富士通

YG868C08R

Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Low Leakage Current. ·High Current Capability, High Efficiency. ·High Junction Temperature Capability.

ISC

无锡固电

YG868C08R

肖特基势垒二极管(双管)

FUJI

富士通

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

FUJI

富士通

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

FUJI

富士通

YG868C08R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    YG868C08R

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    Schottky Barrier Diode

更新时间:2026-3-3 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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FUJITSU/富士通
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