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XSM6K376NW

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

TOSHIBA

东芝

XSM6K376NW

Small-signal MOSFET

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-9-29 22:59:00
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