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XSM6K336NW

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) 4.5 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 95 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 140 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-8-14 17:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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DIP-20
16900
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