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HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

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更新时间:2025-7-31 17:23:01
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