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XG308E晶体管资料

  • XG308E别名:XG308E三极管、XG308E晶体管、XG308E晶体三极管

  • XG308E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • XG308E制作材料

  • XG308E性质:行输出 (HA)_功率放大 (PA)

  • XG308E封装形式:直插封装

  • XG308E极限工作电压:200V

  • XG308E最大电流允许值:0.25A

  • XG308E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • XG308E引脚数:2

  • XG308E最大耗散功率:3W

  • XG308E放大倍数

  • XG308E图片代号:E-44

  • XG308Evtest:200

  • XG308Ehtest:999900

  • XG308Eatest:0.25

  • XG308Ewtest:3

  • XG308E代换 XG308E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Amplifier Transistors(PNP)

Amplifier Transistors PNP Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(3.0A,600-1000V)

MOSPEC

统懋

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(3.0A,70-100V)

MOSPEC

统懋

Operational Amplifiers

文件:158.28 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

Operational Amplifiers

文件:158.28 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

更新时间:2026-5-15 22:30:02
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