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N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC18T10isanN-channelenhancementmodePowerMOSFET,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithaminimumonstateresistance,highswitchingspeedandlowgatecharge,etc. TheUTC18T10issuitableforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters,

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

FastSwitchingCharacteristic

Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvo

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

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A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER
更新时间:2025-7-27 11:01:01
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