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N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4606 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 30V,ID =6.9A RDS(ON)

TUOFENG

拓锋半导体

High Q, high self-resonant frequency

Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Complementary High Density Trench MOSFET

文件:317.57 Kbytes Page:7 Pages

TUOFENG

拓锋半导体

Binary reduction valve

文件:99.4 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.22669 Mbytes Page:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-22 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Bourns(伯恩斯)
24+
SIP-6-2.54mm
42461
免费送样,账期支持,原厂直供,没有中间商赚差价
台产
20+
SOP-8
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
MOLEX
24+
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12000
原厂/代理渠道价格优势
BOURNS/伯恩斯
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6540
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EBM-PAPST
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NA
1000
只做原装,价格优惠,长期供货。
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BOURNS/伯恩斯
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ZIP-6
26800
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Bychip
23+
SOP8
10000
高品质替代,技术支持,参数选型
Bourns(伯恩斯)
24+
标准封装
22663
我们只是原厂的搬运工

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    主打品牌:XILINX、ALTERA、SAMSUNG 、MICRON、HYNIX、INTEL、MAXIM、 二十年专业致力于 FPGA,Momery,以上产品系列价格绝对超越代理!每颗芯片来自原厂,可拆包, 整包购买可提供原厂出货装箱单!

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