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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

EnergyEfficient,High-PowerOff-LineSwitcherWithAccuratePrimary-SideRegulation(PSR)

ProductHighlights EcoSmart™-EnergyEffcient •Multi-modecontrolmaximizeseffciencyoverfullloadrange •No-loadconsumptionbelow30mWat230VAC(LNK67xx) •>75effciencywith1Winputat230VAC •>50effciencywith0.1Winputat230VAC HighDesignFlexibilityforLowSystemCost

POWERINTPower Integrations, Inc.

荷兰帕沃英蒂格盛有限公司

POWERINT

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET25V,7.5m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

Low-Power,1-AccurateBatteryMonitorsin關DFNandSC70Packages

文件:200.1 Kbytes Page:11 Pages

MaximMaximIntegrated

美信半导体

Maxim

Low-Power,1-AccurateBatteryMonitorsin關DFNandSC70Packages

文件:200.1 Kbytes Page:11 Pages

MaximMaximIntegrated

美信半导体

Maxim
更新时间:2024-4-20 11:43:01
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