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Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 490 W, 48 V, 2110 – 2170 MHz

Description The GTRA214602FC is a 490-watt (P3dB) GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) designed for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermallyenhanced package with earless flange. Features • GaN on

WOLFSPEED

Single Row Terminal Blocks

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EATON

伊顿

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Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT

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Cree

科锐

更新时间:2026-1-1 11:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
WOLFSPEED
23+
SMD
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明嘉莱只做原装正品现货
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INFINEON/英飞凌
23+
SMD
50000
全新原装正品现货,支持订货
MACOM
24+
5000
原装军类可排单
WOLFSPEED
25+
30000
原装现货,支持实单
Cree/Wolfspeed
100
INFINEON/英飞凌
24+
4500
原装现货
INFINEON/英飞凌
24+
SMD
60000

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