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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Thermally-EnhancedHighPowerRFGaNonSiCHEMT490W,48V,2110–2170MHz Description TheGTRA214602FCisa490-watt(P3dB)GaNonSiChigh electronmobilitytransistor(HEMT)designedforusein multi-standardcellularpoweramplifierapplications.It featuresinputmatching,highefficiency,andathermallyenhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNon | WOLFSPEED WOLFSPEED, INC. |  |   | |
Thermally-EnhancedHighPowerRFGaNonSiCHEMT 文件：321.34 Kbytes Page：8 Pages | CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
21+ROHS |
10000 |
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INFINEON/英飞凌 |
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SMD |
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INFINEON/英飞凌 |
2022 |
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原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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INFINEON/英飞凌 |
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NA/ |
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WOLFSPEED |
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WOLFSPEED |
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INFINEON/英飞凌 |
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2020-3-29X24320P1.8，微处理器控制器，存储器，运放放大器，音频放大器，传感器，深圳兴中扬电子
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2019-12-2
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