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MOSFETDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODE

DESCRIPTION TheAM0904isavailableinDFN8(5x6)package. FEATURES Channel1 30V/48A, R DS(ON)=7m7mΩ(max.)@VGS=10V R DS(ON)=10m10mΩ(max.)@VGS=4.5V Channel2 30V/50A, R DS(ON)=4m4mΩ(max.)@VGS=10V R DS(ON)=5.9m5.9mΩ(max.)@VGS=4.5V 100UIS+R

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AITSEMI

DIPSWITCHASSEMBLYADP/PASERIES

文件:301.27 Kbytes Page:2 Pages

MACOMTyco Electronics

玛科姆技术方案控股有限公司

MACOM

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:863.69 Kbytes Page:5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

LowOn-resistance,SimpleDriveRequirement

文件:112.58 Kbytes Page:4 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER

LowOn-resistance,SimpleDriveRequirement,FastSwitchingCharacteristic

文件:63.11 Kbytes Page:4 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER
更新时间:2025-7-25 15:48:01
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24+
SOT89
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23+
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WJ
22+
SOT-89
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