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SMDSchottkyBarrierDiode

Features IO=200mA VR=40V -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythinpackage. -Lowleakagecurrent(IR=0.1uAtyp.@VR=10V). -Majoritycarrierconduction. -Lead-freedevice MechanicalData -Case:0603(1608)1005(2512)standardpackage,moldedplastic. -Termin

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易亨易亨电子股份有限公司

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BLP0240

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BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD.

上海贝岭上海贝岭股份有限公司

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SMDSchottkyBarrierDiode

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COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

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威世科技

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更新时间:2024-5-2 11:00:01
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