位置:PHD12N10E > PHD12N10E详情

PHD12N10E中文资料

厂家型号

PHD12N10E

文件大小

298.39Kbytes

页面数量

2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

ISC

PHD12N10E数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.16Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

更新时间:2025-10-7 9:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
24+
TO-252
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
24+
3000
公司存货
恩XP
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
VBsemi/台湾微碧
23+
SOT428(D
30000
代理全新原装现货,价格优势
PHI
1709+
TO-252/D-PAK
32500
普通
VBSEMI/台湾微碧
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
VBsemi
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
PHI
2022+
8000
原厂代理 终端免费提供样品
PHI
25+
TO-252
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
N
23+
SOT428(D
6000
原装正品,支持实单

ISC相关芯片制造商