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PHD12N10E中文资料

厂家型号

PHD12N10E

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

PHD12N10E数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.16Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

更新时间:2025-11-26 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
3000
公司存货
恩XP
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
VBsemi/台湾微碧
25+
SOT428(D
30000
代理全新原装现货,价格优势
PHI
1709+
TO-252/D-PAK
32500
普通
VBSEMI/台湾微碧
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
VBsemi
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
PHI
2022+
8000
原厂代理 终端免费提供样品
PHI
25+
TO-252
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
VBsemi
21+
TO252
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
恩XP
24+
TO-252
5070
全新原装,价格优势,原厂原包

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