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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2026-1-3 22:30:01
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