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WSF50N10	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology 文件：862.04 Kbytes Page：4 Pages	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
WSF50N10G	Consumerelectronicpowersupply 文件：1.43932 Mbytes Page：5 Pages	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807
CEB50N10	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,50A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB50N10	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,50A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP50N10	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,50A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP50N10	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,50A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
BR50N10	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage 文件：866.59 Kbytes Page：6 Pages	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

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更新时间：2024-5-26 23:00:00

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2022-8-29
WSBS8518L0500JK20
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2021-9-8
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2021-9-8
WSC0001R2000F，WSC0001R3300FBA，WSC000212R00JTA
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2020-4-11
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只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。主营：魏德米勒，TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-4-2
WSL431-可调式精密并联稳压器...
一般描述该WSL431是3终端，规定工作温度范围内适用的商业热稳定性可调电压基准。输出电压可设置之间的任何电压Vref（2.505V）和20V两种（见图2）外部电阻值。当与光耦合器使用，是一种理想的WSL431在隔离反馈电路的电压为2.505V至12V的参考开关模式电源。该器件的典型输出阻抗的o.1Ω。主动输出电路提供了一个非常尖锐的导通特性，使优秀WSL431在许多应用中替代齐纳二极管，包括板规例及可调电源。特点•精确的参考电压2.505V•保证0.5％，1％和2％的参考电压容
2013-3-13

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